Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода

Изучено влияние присутствия пропана в реакторе на различных стадиях процесса эпитаксиального выращивания GaN из металлоорганических соединений на сапфировых подложках как на характер процесса эпитаксиального роста, так и на свойства слоев. Получены эпитаксиальные слои GaN с концентрацией углерода 5 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$, с высоким кристаллическим совершенством, атомарно-гладкой поверхностью и напряжением электрического пробоя более 500 V при толщине легированного слоя 4 $\mu$m.