|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 10, страницы 85–91
(Mi pjtf6420)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Изучено влияние присутствия пропана в реакторе на различных стадиях процесса эпитаксиального выращивания GaN из металлоорганических соединений на сапфировых подложках как на характер процесса эпитаксиального роста, так и на свойства слоев. Получены эпитаксиальные слои GaN с концентрацией углерода 5 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$, с высоким кристаллическим совершенством, атомарно-гладкой поверхностью и напряжением электрического пробоя более 500 V при толщине легированного слоя 4 $\mu$m.
Поступила в редакцию: 01.12.2015
Образец цитирования:
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6420 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i10/p85
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 11 |
|