Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 13, страницы 51–58
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310 (Mi pjtf5763) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

В. В. Лундинa, А. В. Сахаровa, Е. Е. Заваринa, Д. А. Закгеймa, А. Е. Николаевa, П. Н. Брунковa, М. А. Яговкинаa, А. Ф. Цацульниковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (749 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310
Аннотация: Структуры AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках. Подавление паразитной проводимости буферных слоев GaN обеспечивалось или преднамеренным повышением плотности краевых дислокаций, или легированием железом (GaN : Fe). Показано, что применение буферных слоев GaN : Fe, имеющих более высокое кристаллическое совершенство и более планарную поверхность, приводит к увеличению подвижности электронов в двумерном канале для носителей в 1.2–1.5 раза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Измерение кривых рентгеновской дифракции и атомно-силовая микроскопия выполнены с использованием оборудования федерального ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях”, поддержанного Министерством образования и науки РФ (уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 28.03.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 7, Pages 577–580
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018070106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunSakZav18}
\by В.~В.~Лундин, А.~В.~Сахаров, Е.~Е.~Заварин, Д.~А.~Закгейм, А.~Е.~Николаев, П.~Н.~Брунков, М.~А.~Яговкина, А.~Ф.~Цацульников
\paper Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 13
\pages 51--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5763}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270657}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 7
\pages 577--580
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018070106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5763
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i13/p51
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024