|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
В. В. Лундинa, А. В. Сахаровa, Е. Е. Заваринa, Д. А. Закгеймa, А. Е. Николаевa, П. Н. Брунковa, М. А. Яговкинаa, А. Ф. Цацульниковb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Структуры AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых подложках. Подавление паразитной проводимости буферных слоев GaN обеспечивалось или преднамеренным повышением плотности краевых дислокаций, или легированием железом (GaN : Fe). Показано, что применение буферных слоев GaN : Fe, имеющих более высокое кристаллическое совершенство и более планарную поверхность, приводит к увеличению подвижности электронов в двумерном канале для носителей в 1.2–1.5 раза.
Поступила в редакцию: 28.03.2018
Образец цитирования:
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5763 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i13/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 9 |
|