Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1451–1454 (Mi phts6305)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN

А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (214 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Исследованы спектры оптического отражения и пропускания при комнатной температуре периодической полупроводниковой гетероструктуры с 60 квантовыми ямами InGaN/GaN. Период структуры подбирался так, чтобы при определенных углах падения света обеспечить совпадение энергии фотона, испытывающего резонансное брэгговское отражение, с энергией возбуждения экситонов в квантовых ямах. Подгонка спектров, измеренных при углах падения света 30 и 60$^\circ$, с учетом как резонансных экситонных переходов, так и переходов в непрерывный спектр состояний квантовой ямы позволила определить параметры экситонов в квантовых ямах. Получено значение параметра радиационного затухания (0.20 $\pm$ 0.02) мэВ.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1431–1434
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616110051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1451–1454; Semiconductors, 50:11 (2016), 1431–1434
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolChaZav16}
\by А.~С.~Большаков, В.~В.~Чалдышев, Е.~Е.~Заварин, А.~В.~Сахаров, В.~В.~Лундин, А.~Ф.~Цацульников
\paper Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1451--1454
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6305}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369029}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1431--1434
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616110051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6305
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1451
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024