ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы две буферные структуры на основе растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N: с легированием кремнием и без легирования. Структуры выращены на кремниевых подложках c ориентацией (111) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последовательно уменьшающимся содержанием Al. Установлено значительное снижение плотности прорастающих дислокаций в области промежуточных слоев при изменении доли Al c 32 до 23%. Обнаружены фазовый распад и явление композиционной автомодуляции в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N в направлении роста при содержании Al, равном 32, 23, 12 и 4%. Предложена модель структуры слоев в области модуляции состава.