Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 21, страницы 39–46 (Mi pjtf6268)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом

В. В. Емцевa, Е. Е. Заваринa, М. А. Козловскийa, М. Ф. Кудояровa, В. В. Лундинa, Г. А. Оганесянa, В. Н. Петровa, Д. С. Полоскинa, А. В. Сахаровa, С. И. Трошковa, Н. М. Шмидтa, В. Н. Вьюгиновb, А. А. Зыбинb, Я. М. Парнесb, С. И. Видякинc, А. Г. Гудковc, А. Е. Черняковd, В. В. Козловскийe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (464 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Показано, что взаимодействие протонов с энергией 1 MeV и дозами (0.5–2) $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом (AlGaN/GaN-HEMT) сопровождается не только генерацией точечных дефектов, но и образованием локальных областей с разупорядоченным наноматериалом. Степень разупорядоченности наноматериала оценивалась количественно методами мультифрактального анализа. Увеличение степени разупорядоченности наноматериала, наиболее ярко проявляющееся при дозе протонов 2 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$, приводит к падению подвижности и электронной плотности в двумерном канале HEMT-структур в несколько раз. При этом на транзисторах наблюдается падение величины тока сток-исток и рост тока утечки затвора на порядок. В HEMT-структурах с повышенной разупорядоченностью наноматериала до воздействия протонов, облучение протонами, даже с дозой 1 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$, приводит к подавлению двумерной проводимости в канале и выходу из строя транзисторов.
Поступила в редакцию: 30.03.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 11, Pages 1079–1082
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016110031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmtZavKoz16}
\by В.~В.~Емцев, Е.~Е.~Заварин, М.~А.~Козловский, М.~Ф.~Кудояров, В.~В.~Лундин, Г.~А.~Оганесян, В.~Н.~Петров, Д.~С.~Полоскин, А.~В.~Сахаров, С.~И.~Трошков, Н.~М.~Шмидт, В.~Н.~Вьюгинов, А.~А.~Зыбин, Я.~М.~Парнес, С.~И.~Видякин, А.~Г.~Гудков, А.~Е.~Черняков, В.~В.~Козловский
\paper Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 21
\pages 39--46
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6268}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368356}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 11
\pages 1079--1082
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016110031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6268
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i21/p39
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025