Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 804–811
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46056.8805 (Mi phts5794) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы

В. В. Емцевa, Е. В. Гущинаa, В. Н. Петровa, Н. А. Тальнишнихb, А. Е. Черняковb, Е. И. Шабунинаa, Н. М. Шмидтa, А. С. Усиковc, А. П. Карташоваa, А. А. Зыбинd, В. В. Козловскийe, М. Ф. Кудояровa, А. В. Сахаровa, Г. А. Оганесянa, Д. С. Полоскинa, В. В. Лундинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Nitride Crystals Inc., 181 E Industry Ct., Ste. B, Deer Park, NY 11729, USA
d ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (337 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46056.8805
Аннотация: Фрактально-перколяционная система, включающая протяженные дефекты и случайные флуктуации состава твердого раствора, формируется в процессе роста приборных структур на основе нитридов элементов III группы. Установлено, что свойства этой системы определяются не только условиями роста. Показано, что многообразие электрических и оптических свойств светодиодов InGaN/GaN, излучающих на длинах волн 450–460 и 519–530 нм, а также электрофизических свойств HEMT-структур AlGaN/GaN вызвано модификацией свойств фрактально-перколяционной системы как в процессе роста, так и под действием инжекционного тока и радиационных воздействий. Обсуждается влияние этих особенностей на срок службы светоизлучающих приборов и надежность HEMT-структур AlGaN/GaN.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-08-01000 А
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 17-08-01000 А).
Поступила в редакцию: 21.12.2017
Принята в печать: 25.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 942–949
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811; Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmtGusPet18}
\by В.~В.~Емцев, Е.~В.~Гущина, В.~Н.~Петров, Н.~А.~Тальнишних, А.~Е.~Черняков, Е.~И.~Шабунина, Н.~М.~Шмидт, А.~С.~Усиков, А.~П.~Карташова, А.~А.~Зыбин, В.~В.~Козловский, М.~Ф.~Кудояров, А.~В.~Сахаров, Г.~А.~Оганесян, Д.~С.~Полоскин, В.~В.~Лундин
\paper Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 804--811
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5794}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46056.8805}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269416}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 942--949
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5794
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p804
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025