С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697; Semiconductors, 52:1 (2018), 93

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страница 1697
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45188.8657 (Mi phts5977)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

С. А. Блохин^a, М. А. Бобров^a, А. А. Блохин^a, А. Г. Кузьменков^ab, А. П. Васильев^ab, Ю. М. Задиранов^a, Е. А. Европейцев^a, А. В. Сахаров^a, Н. Н. Леденцов^c, Л. Я. Карачинский^ad, А. М. Оспенников^e, Н. А. Малеев^a, В. М. Устинов^abf

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c VI Systems GmbH, Berlin, Germany
^d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
^e АО "РИРВ", Санкт-Петербург, Россия
^f Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

PDF полного текста (39 kB) Список цитирования (1)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45188.8657

Аннотация: Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Ширина линии излучения лазера с характерным размером оксидной токовой апертуры 2 мкм достигает своего минимума $\sim$110 МГц при выходной мощности 0.8 мВт. При дальнейшем повышении выходной оптической мощности наблюдается аномальное уширение линии излучения, что, по-видимому, обусловлено ростом $\alpha$-фактора вследствие падения дифференциального усиления активной области в условиях повышенной концентрации носителей и высоких внутренних оптических потерь в микрорезонаторе. Проведена оценка величины $\alpha$-фактора двумя независимыми методами.

Поступила в редакцию: 25.05.2017
Принята в печать: 30.05.2017

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 93–99
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010062

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{BloBobBlo17}

\by С.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, А.~А.~Блохин, А.~Г.~Кузьменков, А.~П.~Васильев, Ю.~М.~Задиранов, Е.~А.~Европейцев, А.~В.~Сахаров, Н.~Н.~Леденцов, Л.~Я.~Карачинский, А.~М.~Оспенников, Н.~А.~Малеев, В.~М.~Устинов

\paper Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2017

\vol 51

\issue 12

\pages 1697

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5977}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45188.8657}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2018

\vol 52

\issue 1

\pages 93--99

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010062}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts5977

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1697

Синоним

Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов
Физика и техника полупроводников, 2018, 52:1, 98–104
Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:12, 1697

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	41
PDF полного текста:	14

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы