|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 13, страницы 80–86
(Mi pjtf6376)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
В. В. Емцевa, Е. Е. Заваринa, Г. А. Оганесянa, В. Н. Петровa, А. В. Сахаровa, Н. М. Шмидтa, В. Н. Вьюгиновb, А. А. Зыбинb, Я. М. Парнесb, С. И. Видякинc, А. Г. Гудковc, А. Е. Черняковd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены первые экспериментальные результаты, демонстрирующие корреляцию подвижности электронов в двумерном канале AlGaN/GaN транзисторных (AlGaN/GaN-HEMT) структур с характером организации наноматериала, а также с надежностью параметров транзисторов при эксплуатации. Показано, что улучшение характера организации наноматериала структур AlGaN/GaN-HEMT-структур, количественно охарактеризованное мультифрактальным параметром степени разупорядоченности (нарушение локальной симметрии) наноматериала, сопровождается существенным, в несколько раз, увеличением подвижности электронов в двумерном канале и надежности параметров транзисторов, полученных из этих структур.
Поступила в редакцию: 26.02.2016
Образец цитирования:
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6376 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i13/p80
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 11 |
|