|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
В. В. Лундинa, А. В. Сахаровa, Е. Е. Заваринa, Д. А. Закгеймa, Е. Ю. Лундинаa, П. Н. Брунковa, А. Ф. Цацульниковb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы морфология и электрические свойства полуизолирующих эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что улучшение изолирующих свойств слоев при повышении уровня легирования углеродом или железом ограничено ухудшением морфологии, при этом характер развития морфологии различен для этих двух примесей. Установлено, что совместное легирование углеродом и железом позволяет сохранить планарность поверхности GaN при существенном улучшении изолирующих свойств.
Ключевые слова:
транзистор с высокой подвижностью электронов, полуизолирующий нитрид галлия, ток утечки, совместное легирование.
Поступила в редакцию: 20.02.2019 Исправленный вариант: 11.04.2019 Принята в печать: 11.04.2019
Образец цитирования:
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5379 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i14/p36
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 22 |
|