Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 14, страницы 36–39
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.14.48022.17738 (Mi pjtf5379) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом

В. В. Лундинa, А. В. Сахаровa, Е. Е. Заваринa, Д. А. Закгеймa, Е. Ю. Лундинаa, П. Н. Брунковa, А. Ф. Цацульниковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (346 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.14.48022.17738
Аннотация: Исследованы морфология и электрические свойства полуизолирующих эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что улучшение изолирующих свойств слоев при повышении уровня легирования углеродом или железом ограничено ухудшением морфологии, при этом характер развития морфологии различен для этих двух примесей. Установлено, что совместное легирование углеродом и железом позволяет сохранить планарность поверхности GaN при существенном улучшении изолирующих свойств.
Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, полуизолирующий нитрид галлия, ток утечки, совместное легирование.
Поступила в редакцию: 20.02.2019
Исправленный вариант: 11.04.2019
Принята в печать: 11.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 7, Pages 723–726
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501907023X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunSakZav19}
\by В.~В.~Лундин, А.~В.~Сахаров, Е.~Е.~Заварин, Д.~А.~Закгейм, Е.~Ю.~Лундина, П.~Н.~Брунков, А.~Ф.~Цацульников
\paper Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 14
\pages 36--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5379}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.14.48022.17738}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131131}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 7
\pages 723--726
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501907023X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5379
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i14/p36
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024