Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Оболенский Сергей Владимирович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 31
Научных статей: 31

Статистика просмотров:
Эта страница:74
Страницы публикаций:1625
Полные тексты:862

https://www.mathnet.ru/rus/person183262
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке”, ЖТФ, 91:10 (2021),  1501–1503  mathnet  elib
2. Т. А. Шоболова, А. С. Мокеев, С. Д. Рудаков, С. В. Оболенский, Е. Л. Шоболов, “Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  916–921  mathnet  elib; T. A. Shobolova, A. S. Mokeev, S. D. Rudakov, S. V. Obolensky, E. L. Shobolov, “Silicon metal–oxide–semiconductor transistor with a dependent pocket contact and two-layer polysilicon gate”, Semiconductors, 55:12 (2021), 885–890
3. В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894  mathnet  elib
4. Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, O. L. Golikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, “Analysis of the effect of spacer layers on nonlinear distortions of the current–voltage characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs”, Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898 2
5. Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849  mathnet  elib; E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, E. S. Semyonovykh, S. V. Khazanova, S. V. Obolensky, “Experimental studies of modification of the characteristics of GaAs structures with Schottky contacts after exposure to fast neutrons”, Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906 1
6. А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747  mathnet  elib; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784
7. В. И. Егоркин, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, А. А. Зайцев, В. И. Гармаш, “Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17  mathnet  elib
8. А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54  mathnet  elib; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 1
9. С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  38–41  mathnet  elib; S. V. Obolensky, E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, “A comprehensive study of radiation defect clusters in GaAs structures after neutron irradiation”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251 3
2020
10. Н. Д. Абросимова, М. Н. Дроздов, С. В. Оболенский, “Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур “кремний на изоляторе””, ЖТФ, 90:11 (2020),  1850–1853  mathnet  elib; N. D. Abrosimova, M. N. Drozdov, S. V. Obolensky, “Secondary-ion mass spectroscopy for analysis of the implanted hydrogen profile in silicon and impurity composition of silicon-on-insulator structures”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1767–1770
11. Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, А. В. Коротков, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, С. В. Оболенский, “Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1158–1162  mathnet  elib; D. I. Dyukov, A. G. Fefelov, A. V. Korotkov, D. G. Pavel'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, A. S. Ivanov, S. V. Obolensky, “Comparison of the efficiency of promising heterostructure frequency-multiplier diodes of the THz-frequency range”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1360–1364 2
12. Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 6
13. И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  945–951  mathnet  elib; I. Yu. Zabavichev, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Impact of the potential of scattering at radiation-induced defects on carrier transport in GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1134–1140
14. А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  791–795  mathnet  elib; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “On heating and relaxation of the electron–hole-gas energy in the track of a primary recoil atom”, Semiconductors, 54:8 (2020), 946–950 1
2019
15. Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1391–1394  mathnet  elib; T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1353–1356
16. И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284  mathnet  elib; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1249–1254 6
17. Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский, “Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1275–1278  mathnet  elib; G. M. Umnyagin, V. E. Degtyarov, S. V. Obolensky, “Numerical simulation of the current–voltage characteristics of bilayer resistive memory based on non-stoichiometric metal oxides”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1246–1248 1
18. А. С. Пузанов, М. М. Венедиктов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1250–1256  mathnet  elib; A. S. Puzanov, M. M. Venediktov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1222–1228 2
19. Ю. А. Кабальнов, А. Н. Труфанов, С. В. Оболенский, “Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  388–395  mathnet  elib; Yu. A. Kabalnov, A. N. Trufanov, S. V. Obolensky, “Investigation into the radiation hardness of photodiodes based on silicon-on-sapphire structures”, Semiconductors, 53:3 (2019), 368–374 1
2018
20. М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, “Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1414–1420  mathnet  elib; M. M. Venediktov, E. A. Tarasova, A. D. Bozhen'kina, S. V. Obolensky, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dyukov, A. G. Fefelov, “Analysis of the behavior of nonequilibrium semiconductor structures and microwave transistors during and after pulsed $\gamma$- and $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1518–1524 3
21. А. В. Хананова, С. В. Оболенский, “Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1366–1372  mathnet  elib; A. V. Khananova, S. V. Obolensky, “Development of a physical-topological model for the response of a high-power vertical DMOS transistor to the effect of pulsed gamma-radiation”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1477–1483 1
22. А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1295–1299  mathnet  elib; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift Cattaneo–Vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1407–1411 7
2017
23. Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1543–1546  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, O. E. Galkin, A. V. Hananova, A. B. Makarov, “Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494 3
24. И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524  mathnet  elib; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471 2
25. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Optimization of the superlattice parameters for THz diodes”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1439–1443 3
26. И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492  mathnet  elib; I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1435–1438 4
2016
27. А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1706–1712  mathnet  elib; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1678–1683 3
28. Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1605–1609  mathnet  elib; E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, A. Yu. Churin, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Microwave-signal generation in a planar Gunn diode with radiation exposure taken into account”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1579–1583 1
29. Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604  mathnet  elib; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 5
30. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, Yu. I. Koschurinov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531 3
31. Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338  mathnet  elib; E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, Yu. N. Sveshnikov, V. I. Egorkin, V. A. Ivanov, G. V. Medvedev, D. S. Smotrin, “Study of the electron distribution in GaN and GaAs after $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333 6

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024