Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 388–395
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47292.8813 (Mi phts5570) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире

Ю. А. Кабальновa, А. Н. Труфановa, С. В. Оболенскийb

a Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47292.8813
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены электрофизические свойства фотодиодов на основе структур кремний-на-сапфире. Показано, что по основным параметрам они не уступают кремниевым диодам, а уровень радиационной стойкости на порядок выше, чем у аналогичных диодов на объемном кремнии.
Поступила в редакцию: 10.01.2018
Исправленный вариант: 13.09.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 368–374
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Кабальнов, А. Н. Труфанов, С. В. Оболенский, “Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 388–395; Semiconductors, 53:3 (2019), 368–374
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KabTruObo19}
\by Ю.~А.~Кабальнов, А.~Н.~Труфанов, С.~В.~Оболенский
\paper Исследование радиационной стойкости фотодиодов на структурах кремний-на-сапфире
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 388--395
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5570}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47292.8813}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477171}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 368--374
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5570
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p388
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024