Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1279–1284
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48139.23 (Mi phts5417) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии

И. Ю. Забавичевab, А. А. Потехинab, А. С. Пузановab, С. В. Оболенскийab, В. А. Козловac

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (151 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48139.23
Аннотация: При помощи метода молекулярной динамики проведено моделирование формирования разупорядоченной области дефектов в объемном кремнии для различных энергий первичного атома отдачи. Рассчитаны изменения объема и числа радиационных дефектов в кластере в процессе его формирования. Теоретически получены скорости генерации неравновесных носителей заряда и амплитудно-временные зависимости импульсов ионизационных токов в тестовых диодах Шоттки гипервысоких частот.
Ключевые слова: метод молекулярной динамики, кластер радиационных дефектов, высокопроизводительные вычисления.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-13-00066
Исследование поддержано грантом Российского научного фонда (проект № 18-13-00066).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1249–1254
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090276
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1279–1284; Semiconductors, 53:9 (2019), 1249–1254
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabPotPuz19}
\by И.~Ю.~Забавичев, А.~А.~Потехин, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1279--1284
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5417}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48139.23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129881}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1249--1254
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090276}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5417
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1279
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025