Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот

Ранее для изготовления смесительных диодов нами применялись GaAs/AlAs сверхрешетки с малой площадью активной области ($\sim$1 мкм$^{2}$), и была установлена возможность их эффективного применения в терагерцовом диапазоне частот. Теоретически и экспериментально было показано, что на частотах до 5.3 ТГц малопериодные (содержащие небольшое число периодов) сверхрешетки в составе гармонических смесителей проявляют существенные преимущества по сравнению с многопериодными, т. е. содержащими 50–100 и больше периодов. В данной работе проведена оптимизация конструкции сверхрешеток и показано, что эффективность работы малопериодных сверхрешеток во многом определяется переходными областями, расположенными на ее краях.