Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 968–973
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49841.35 (Mi phts5180) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм

Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (609 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49841.35
Аннотация: Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур.
Ключевые слова: транзисторы Шоттки и HEMT, сток-затворная ВАХ, эффект всплеска скорости носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-529
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования РФ, полученным в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”. Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62020X0003. Номер соглашения 075-15-2020-529.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1155–1160
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090274
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973; Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarOboKha20}
\by Е.~А.~Тарасова, С.~В.~Оболенский, С.~В.~Хазанова, Н.~Н.~Григорьева, О.~Л.~Голиков, А.~Б.~Иванов, А.~С.~Пузанов
\paper Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 968--973
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5180}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49841.35}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154208}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1155--1160
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090274}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5180
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p968
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024