|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур.
Ключевые слова:
транзисторы Шоттки и HEMT, сток-затворная ВАХ, эффект всплеска скорости носителей заряда.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973; Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5180 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p968
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 71 | PDF полного текста: | 38 |
|