|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1605–1609
(Mi phts6278)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
Е. С. Оболенскаяa, Е. А. Тарасоваa, А. Ю. Чуринa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Теоретически исследована генерация СВЧ сигнала в планарных диодах Ганна с двумерным электронным газом, в которых ранее нами исследовался стационарный транспорт электронов. Рассмотрены возможности использования управляющего электрода, аналогичного затвору полевого транзистора, для управления параметрами выходного СВЧ сигнала диода. Проведено сравнение результатов физико-топологического моделирования для полупроводниковых структур с различной конструкцией активной области диодов – без квантовой ямы, с одной и двумя квантовыми ямами, разделенными потенциальным барьером. Результаты расчетов сопоставлены с полученными нами ранее экспериментальными данными по регистрации ганновской генерации в полевом транзисторе с затвором Шоттки. Теоретически и экспериментально показано, что мощность сигнала, генерируемого планарным диодом Ганна с квантовой ямой и управляющим электродом, достаточна для реализации монолитных интегральных схем (МИС) различного функционального назначения. Теоретически и экспериментально показано, что благодаря использованию управляющего электрода за счет введения корректирующей обратной связи возможно значительное увеличение радиационной стойкости СВЧ генератора полевых транзисторов с затвором Шоттки.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1605–1609; Semiconductors, 50:12 (2016), 1579–1583
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6278 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1605
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 12 |
|