Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 791–795
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49627.03 (Mi phts5197) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи

А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийab, В. А. Козловc

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (133 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49627.03
Аннотация: На основе алгоритма Монте-Карло разработан метод расчета энергетического спектра горячих неравновесных электронов и дырок в треке первичного атома отдачи при воздействии одиночных быстрых нейтронов. Проведены расчеты разогрева и последующей релаксации неравновесных носителей заряда в кремнии в треке заряженной частицы с начальными энергиями в диапазоне 50–200 кэВ. Получены характерные температуры электронной и дырочной плазмы, которые составили 5400 и 2700 K соответственно. Обсуждается влияние радиационно-индуцированного разогрева носителей заряда на сбоеустойчивость элементов статической памяти.
Ключевые слова: первичный атом отдачи, обратимый одиночный сбой, горячие носители.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-529
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования РФ, полученным в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”. Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62020X0003. Номер соглашения 075-15-2020-529.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 946–950
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080205
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 791–795; Semiconductors, 54:8 (2020), 946–950
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PuzOboKoz20}
\by А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 791--795
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5197}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49627.03}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800754}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 946--950
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080205}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5197
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p791
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024