|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
М. М. Венедиктовa, Е. А. Тарасоваb, А. Д. Боженькинаb, С. В. Оболенскийb, В. В. Елесинc, Г. В. Чуковc, И. О. Метелкинc, М. А. Кревскийd, Д. И. Дюковd, А. Г. Фефеловd a Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после $\gamma$-нейтронного облучения.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, “Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1414–1420; Semiconductors, 52:12 (2018), 1518–1524
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5652 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1414
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 16 |
|