|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
И. Ю. Забавичевa, А. А. Потехинa, А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно-индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524; Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6000 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1520
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 16 |
|