Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1520–1524
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45103.17 (Mi phts6000) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения

И. Ю. Забавичевa, А. А. Потехинa, А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (482 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45103.17
Аннотация: Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно-индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1466–1471
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261711029X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524; Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabPotPuz17}
\by И.~Ю.~Забавичев, А.~А.~Потехин, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1520--1524
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6000}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45103.17}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546393}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1466--1471
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261711029X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6000
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1520
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024