Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов

Проведено моделирование обратимых одиночных сбоев в тестовых образцах микросхем статической памяти с проектными нормами 0.5, 0.35, 0.25 и 0.1 мкм при воздействии потоков нейтронов с различной энергией. Теоретически и экспериментально показано, что в современных изделиях микро- и наноэлектроники могут иметь место обратимые одиночные сбои при воздействии потока нейтронов спектра деления, вызванные прохождением первичных атомов отдачи и продуктов ядерных реакций вдоль поверхности микросхемы перпендикулярно линиям электрического тока в области вблизи стока транзистора. На основе предложенной модели проведена интерпретация серии облучательных экспериментов микросхем статической памяти с проектными нормами 0.35 мкм.