|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
С. В. Оболенскийa, Е. В. Волковаa, А. Б. Логиновb, Б. А. Логиновc, Е. А. Тарасоваa, А. С. Пузановa, С. А. Королевd a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических параметров и морфологии поверхности GaAs-структур кольцевых и круговых диодов Шоттки до и после облучения нейтронами с энергией $\sim$1 MeV. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены объемные радиационные дефекты. По результатам вольт-фарадных измерений определена концентрация электронов и оценена их подвижность до и после облучения. На основе результатов, полученных с применением совокупности данных методов, предложена методика определения средних размеров областей пространственного заряда кластеров радиационных дефектов.
Ключевые слова:
кластеры радиационных дефектов, вольт-фарадный метод, атомно-силовая микроскопия.
Поступила в редакцию: 02.11.2020 Исправленный вариант: 25.11.2020 Принята в печать: 26.11.2020
Образец цитирования:
С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 38–41; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4844 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i5/p38
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 28 |
|