Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 5, страницы 38–41
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.05.50676.18608
(Mi pjtf4844)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия

С. В. Оболенскийa, Е. В. Волковаa, А. Б. Логиновb, Б. А. Логиновc, Е. А. Тарасоваa, А. С. Пузановa, С. А. Королевd

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических параметров и морфологии поверхности GaAs-структур кольцевых и круговых диодов Шоттки до и после облучения нейтронами с энергией $\sim$1 MeV. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены объемные радиационные дефекты. По результатам вольт-фарадных измерений определена концентрация электронов и оценена их подвижность до и после облучения. На основе результатов, полученных с применением совокупности данных методов, предложена методика определения средних размеров областей пространственного заряда кластеров радиационных дефектов.
Ключевые слова: кластеры радиационных дефектов, вольт-фарадный метод, атомно-силовая микроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0729-2020-0057
Работа выполнена в рамках базовой части государственного задания (проект № 0729-2020-0057).
Поступила в редакцию: 02.11.2020
Исправленный вариант: 25.11.2020
Принята в печать: 26.11.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 3, Pages 248–251
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021030123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 38–41; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OboVolLog21}
\by С.~В.~Оболенский, Е.~В.~Волкова, А.~Б.~Логинов, Б.~А.~Логинов, Е.~А.~Тарасова, А.~С.~Пузанов, С.~А.~Королев
\paper Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 5
\pages 38--41
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4844}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.05.50676.18608}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46301735}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 3
\pages 248--251
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021030123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4844
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i5/p38
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024