Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 846–849
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51431.19 (Mi phts4950) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов

Е. В. Волковаa, А. Б. Логиновb, Б. А. Логиновc, Е. А. Тарасоваa, А. С. Пузановa, С. А. Королевd, Е. С. Семёновыхa, С. В. Хазановаa, С. В. Оболенскийa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (868 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51431.19
Аннотация: Исследуются электрофизические параметры и морфология поверхности структур $n/n^{-}$ GaAs с контактами Шоттки до и после воздействия нейтронов со средней энергией $\sim$1 МэВ. Методом вольт-фарадных измерений определены изменения профилей концентрации и подвижности электронов в структурах. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены возникающие при облучении кластеры радиационных дефектов, предложен комплексный подход к определению их параметров.
Ключевые слова: GaAs-структура, контакты Шоттки, быстрые нейтроны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0729-2020-0035
Работа профинансирована Министерством науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (проект № 0729-2020-0035).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 903–906
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100274
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 846–849; Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolLogLog21}
\by Е.~В.~Волкова, А.~Б.~Логинов, Б.~А.~Логинов, Е.~А.~Тарасова, А.~С.~Пузанов, С.~А.~Королев, Е.~С.~Семёновых, С.~В.~Хазанова, С.~В.~Оболенский
\paper Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 846--849
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4950}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51431.19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486056}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 903--906
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100274}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4950
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p846
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024