|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Проведено численное моделирование вольт-амперных характеристик структуры резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов тантала. В рамках исследования приводятся результаты проведения импульсного исследования структур с разной формой проводящего филамента, такой как усеченный конус с разным углом наклона образующей. Показано как форма и общий объем проводящего филамента сказываются на амплитуде тока и количестве импульсов, необходимом для полного процесса разрыва и восстановления филамента.
Ключевые слова:
резистивная память, нестехиометрический, численное моделирование.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский, “Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1275–1278; Semiconductors, 53:9 (2019), 1246–1248
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5416 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1275
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 7 |
|