Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1275–1278
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48138.21 (Mi phts5416) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов

Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (560 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48138.21
Аннотация: Проведено численное моделирование вольт-амперных характеристик структуры резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов тантала. В рамках исследования приводятся результаты проведения импульсного исследования структур с разной формой проводящего филамента, такой как усеченный конус с разным углом наклона образующей. Показано как форма и общий объем проводящего филамента сказываются на амплитуде тока и количестве импульсов, необходимом для полного процесса разрыва и восстановления филамента.
Ключевые слова: резистивная память, нестехиометрический, численное моделирование.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1246–1248
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090252
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский, “Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1275–1278; Semiconductors, 53:9 (2019), 1246–1248
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UmnDegObo19}
\by Г.~М.~Умнягин, В.~Е.~Дегтярев, С.~В.~Оболенский
\paper Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1275--1278
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5416}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48138.21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129880}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1246--1248
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090252}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5416
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1275
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025