|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Рассмотрен процесс релаксации возбуждений в электронно-дырочной плазме при воздействии ионизирующего излучения с длительностью, меньшей времени релаксации энергии и импульса подвижных носителей заряда. На примере расчета переходных ионизационных процессов в кремниевом диоде Шоттки гипервысоких частот проведено сравнение локально-равновесной и локально-неравновесной моделей переноса носителей заряда. Показано, что локально-неравновесная модель имеет более широкую область применимости для описания быстропротекающих релаксационных процессов.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1295–1299; Semiconductors, 52:11 (2018), 1407–1411
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5683 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1295
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 36 |
|