Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1295–1299
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46586.08
(Mi phts5683)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений

А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Рассмотрен процесс релаксации возбуждений в электронно-дырочной плазме при воздействии ионизирующего излучения с длительностью, меньшей времени релаксации энергии и импульса подвижных носителей заряда. На примере расчета переходных ионизационных процессов в кремниевом диоде Шоттки гипервысоких частот проведено сравнение локально-равновесной и локально-неравновесной моделей переноса носителей заряда. Показано, что локально-неравновесная модель имеет более широкую область применимости для описания быстропротекающих релаксационных процессов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-07935
Работа выполнена при поддержке программ РАН, гранта РФФИ № 15-02-07935.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1407–1411
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110209
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1295–1299; Semiconductors, 52:11 (2018), 1407–1411
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PuzOboKoz18}
\by А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео--Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1295--1299
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5683}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46586.08}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903601}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1407--1411
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110209}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5683
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1295
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024