Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1158–1162
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49961.43 (Mi phts5154) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот

Д. И. Дюковa, А. Г. Фефеловa, А. В. Коротковab, Д. Г. Павельевb, В. А. Козловcb, Е. С. Оболенскаяb, А. С. Ивановab, С. В. Оболенскийb

a ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (349 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49961.43
Аннотация: Приводятся результаты теоретического и экспериментального сравнения эффективности преобразования сигналов диодами на основе сверхрешеток с малым числом периодов ($N$-образная вольт-амперная характеристика) и перспективными умножительными гетеробарьерными диодами (варакторами) (вольт-фарадная характеристика параболического вида).
Ключевые слова: диоды на основе сверхрешеток, нелинейная вольт-амперная характеристика, варактор, вольт-фарадная характеристика параболического вида, умножители частоты сигналов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-529
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования РФ, полученным в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”. Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62020X0003. Номер соглашения 075-15-2020-529.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1360–1364
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, А. В. Коротков, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, С. В. Оболенский, “Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1158–1162; Semiconductors, 54:10 (2020), 1360–1364
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DyuFefKor20}
\by Д.~И.~Дюков, А.~Г.~Фефелов, А.~В.~Коротков, Д.~Г.~Павельев, В.~А.~Козлов, Е.~С.~Оболенская, А.~С.~Иванов, С.~В.~Оболенский
\paper Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1158--1162
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5154}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49961.43}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041232}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1360--1364
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5154
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1158
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024