Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1543–1546
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45108.22 (Mi phts6005) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия

Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (123 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45108.22
Аннотация: Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после $\gamma$-нейтронного облучения с флюенсом 0.4 $\cdot$ 10$^{14}$ cм$^{-2}$. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1490–1494
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110264
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1543–1546; Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarOboGal17}
\by Е.~А.~Тарасова, С.~В.~Оболенский, О.~Е.~Галкин, A.~B.~Хананова, А.~Б.~Макаров
\paper Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1543--1546
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6005}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45108.22}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546399}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1490--1494
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110264}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6005
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1543
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024