|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после $\gamma$-нейтронного облучения с флюенсом 0.4 $\cdot$ 10$^{14}$ cм$^{-2}$. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1543–1546; Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6005 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1543
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 13 |
|