Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1548–1553 (Mi phts6323)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот

Д. Г. Павельевa, А. П. Васильевb, В. А. Козловac, Ю. И. Кошуриновa, Е. С. Оболенскаяa, С. В. Оболенскийa, В. М. Устиновd

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (466 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Методом Монте–Карло рассчитан транспорт электронов в сверхрешетках на основе гетероструктур GaAs/AlAs с небольшим числом периодов (6 периодов). Эти сверхрешетки используются в диодах, работающих в качестве гармонических смесителей для стабилизации частоты квантовых каскадных лазеров до 5 ТГц. Рассмотрена зонная структура сверхрешеток с различным количеством монослоев AlAs и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Проведено сравнение рассчитанных вольт-амперных характеристик сверхрешеток с экспериментом. Теоретически и экспериментально установлена возможность эффективного применения таких сверхрешеток в терагерцовом диапазоне частот.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1526–1531
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616110208
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1548–1553; Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavVasKoz16}
\by Д.~Г.~Павельев, А.~П.~Васильев, В.~А.~Козлов, Ю.~И.~Кошуринов, Е.~С.~Оболенская, С.~В.~Оболенский, В.~М.~Устинов
\paper Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1548--1553
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6323}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369047}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1526--1531
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616110208}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6323
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1548
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024