Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 872–876
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51436.35 (Mi phts4955) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs

Е. А. Тарасоваa, С. В. Хазановаa, О. Л. Голиковa, А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. Е. Земляковb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
PDF полного текста (459 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51436.35
Аннотация: Работа посвящена результатам моделирования электрофизических параметров pHEMT структур на основе соединения AlGaAs/InGaAs/GaAs с помощью самосогласованного решения уравнения Шредингера и Пуассона. На основании численных расчетов предложен метод анализа нелинейных искажений передаточных вольт-амперных характеристик исследуемых транзисторов. Проведена оценка влияния спейсерных слоев и степени легирования $\delta$-слоя на нелинейность вольт-амперных характеристик.
Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0729-2020-0057
Работа выполнена в рамках базовой части государственного задания, проект 0729-2020-0057.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 895–898
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 872–876; Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarKhaGol21}
\by Е.~А.~Тарасова, С.~В.~Хазанова, О.~Л.~Голиков, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~Е.~Земляков
\paper Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 872--876
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4955}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51436.35}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486061}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 895--898
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4955
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p872
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024