|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 346–355   ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Action of excimer laser pulses on light-emitting InGaAs/GaAs structures with a (Ga,Mn)As-layer”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 425–434 |
2
|
| 2. |
Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, А. С. Новиков, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1474–1478 |
| 3. |
Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. А. Роженцов, М. Н. Коряжкина, А. С. Новиков, И. Н. Антонов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, О. Н. Горшков, “Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 754–757 ; D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734 |
| 4. |
В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26 |
| 5. |
Д. А. Антонов, А. С. Новиков, Д. О. Филатов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 30–32 ; D. A. Antonov, A. S. Novikov, D. O. Filatov, A. V. Kruglov, I. N. Antonov, A. V. Zdoroveyshchev, O. N. Gorshkov, “The formation of nanosized ferromagnetic Ni filaments in films of ZrO$_2$(Y)”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 539–541 |
1
|
|
2020 |
| 6. |
Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, А. И. Белов, В. Н. Баранова, М. Е. Шенина, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 556–561 ; D. O. Filatov, D. A. Antonov, I. N. Antonov, A. I. Belov, V. N. Baranova, M. E. Shenina, O. N. Gorshkov, “Resistive switching of memristors based on stabilized zirconia by complex signals”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 642–647 |
3
|
| 7. |
Д. О. Филатов, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1825–1829 ; D. O. Filatov, D. A. Antonov, I. N. Antonov, M. A. Ryabova, O. N. Gorshkov, “An atomic force microscopic study of resistive switching resonance activation in ZrO$_{2}$(Y) films”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1744–1747 |
| 8. |
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749 ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676 |
| 9. |
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 |
4
|
| 10. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, И. Н. Антонов, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1336–1343 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, I. N. Antonov, “Pulsed laser irradiation of GaAs-based light-emitting structures”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1598–1604 |
4
|
| 11. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
1
|
| 12. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
6
|
|
2019 |
| 13. |
Д. О. Филатов, М. Н. Коряжкина, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, Д. А. Лискин, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1669–1673 ; D. O. Filatov, M. N. Koryazhkina, D. A. Antonov, I. N. Antonov, D. A. Liskin, M. A. Ryabova, O. N. Gorshkov, “Atomic-force microscopy of resistive nonstationary signal switching in ZrO$_{2}$(Y) films”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1579–1583 |
2
|
| 14. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов, “Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния”, ЖТФ, 89:6 (2019), 927–934 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. I. Belov, I. N. Antonov, A. I. Morozov, M. N. Koryazhkina, A. N. Mikhaylov, “Mechanisms of current transport and resistive switching in capacitors with yttria-stabilized hafnia layers”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 873–880 |
4
|
| 15. |
Е. В. Окулич, М. Н. Коряжкина, Д. С. Королев, А. И. Белов, М. Е. Шенина, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, И. Н. Антонов, Ю. А. Дудин, “Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6 ; E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 |
2
|
|
2018 |
| 16. |
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140 ; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181 |
5
|
| 17. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
| 18. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1436–1442 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. I. Morozov, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Behavioral features of MIS memristors with a Si$_{3}$N$_{4}$ nanolayer fabricated on a conductive Si substrate”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546 |
13
|
| 19. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов, “Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1286–1290 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, I. N. Antonov, “The effect of the composition of a carrier gas during the growth of a Mn delta-layer on the electrical and magnetic properties of GaAs structures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1398–1402 |
1
|
| 20. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
| 21. |
Д. О. Филатов, В. В. Карзанов, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, “Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 88–93 ; D. O. Filatov, V. V. Karzanov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, “Features of switching memristor structures to a high-resistance state by sawtooth pulses”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1160–1162 |
2
|
|
2017 |
| 22. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 23. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1468–1472 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 |
1
|
|
2016 |
| 24. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, D. S. Korolev, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Change of immitance during electroforming and resistive switching in the metal-insulator-metal memristive structures based on SiO$_{x}$”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749 |
16
|
| 25. |
М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1639–1643 ; M. N. Koryazhkina, S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, “Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1614–1618 |
1
|
| 26. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, O. V. Vikhrova, A. I. Morozov, “Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on $n$-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an $n$-GaAs layer”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594 |
1
|
| 27. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 78–84 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 536–538 |
18
|
| 28. |
А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум, “Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 17–24 ; A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. S. Korolev, V. A. Sergeev, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, D. I. Tetelbaum, “Resistive switching in Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 505–508 |
4
|
| 29. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142 |
2
|
| 30. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
2008 |
| 31. |
А. Г. Лавкин, М. Б. Мысенко, И. Н. Антонов, “Стохастическая диссоциация бризеров уравнения Cинус-Гордона во внешних полях”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 8:2 (2008), 34–39 |
|
Обратная связь: