Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 5, страницы 107–111 (Mi jtf6559)  
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$

С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (172 kB) Список цитирования (16)
Аннотация: Для мемристивных структур “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$ установлены изменения иммитанса при электроформовке и резистивном переключении, которые подтверждают образование проводящих каналов (филаментов) в диэлектрике при формовке и их прерывание при переходе структуры в состояние с высоким сопротивлением. Обнаружено переключение дифференциальной емкости и проводимости, синхронное с переключением тока (сопротивления), которое может существенно расширить функциональные применения мемристивных устройств данного типа.
Поступила в редакцию: 17.03.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2016, Volume 61, Issue 5, Pages 745–749
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421605025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111; Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorAnt16}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин, Д.~С.~Королев, А.~И.~Белов, А.~Н.~Михайлов, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах ``металл--диэлектрик--металл'' на основе SiO$_{x}$
\jour ЖТФ
\yr 2016
\vol 86
\issue 5
\pages 107--111
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6559}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368408}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2016
\vol 61
\issue 5
\pages 745--749
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421605025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6559
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i5/p107
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024