Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$

Для мемристивных структур “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$ установлены изменения иммитанса при электроформовке и резистивном переключении, которые подтверждают образование проводящих каналов (филаментов) в диэлектрике при формовке и их прерывание при переходе структуры в состояние с высоким сопротивлением. Обнаружено переключение дифференциальной емкости и проводимости, синхронное с переключением тока (сопротивления), которое может существенно расширить функциональные применения мемристивных устройств данного типа.