Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 11, страницы 1669–1673
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48326.127-19 (Mi jtf5456) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

Д. О. Филатов, М. Н. Коряжкина, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, Д. А. Лискин, М. А. Рябова, О. Н. Горшков

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (152 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48326.127-19
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом изучено локальное резистивное переключение в пленках стабилизированного диоксида циркония на проводящих подложках при переключении сложными нестационарными сигналами. Переключение сопротивления пленок осуществлялось треугольными импульсами напряжения, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено увеличение отношения силы тока через контакт зонда к поверхности пленки в высокоомном и низкоомном состояниях при наложении синусоидального сигнала (по сравнению с переключением простыми треугольными импульсами). Обнаружено также увеличение временной стабильности силы тока в указанных состояниях при переключении с наложением синусоидального сигнала. Эффект связан с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле.
Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, стабильность, резонансная активация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520059 р_а
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Правительства Нижегородской области (проекта № 18-42-520059р_а).
Поступила в редакцию: 28.03.2019
Исправленный вариант: 28.03.2019
Принята в печать: 15.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 11, Pages 1579–1583
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219110082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. О. Филатов, М. Н. Коряжкина, Д. А. Антонов, И. Н. Антонов, Д. А. Лискин, М. А. Рябова, О. Н. Горшков, “Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1669–1673; Tech. Phys., 64:11 (2019), 1579–1583
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilKorAnt19}
\by Д.~О.~Филатов, М.~Н.~Коряжкина, Д.~А.~Антонов, И.~Н.~Антонов, Д.~А.~Лискин, М.~А.~Рябова, О.~Н.~Горшков
\paper Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 11
\pages 1669--1673
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5456}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48326.127-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300856}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 11
\pages 1579--1583
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219110082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5456
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i11/p1669
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024