|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Показано, что структурам Ag/Ge/Si с прорастающими дислокациями в слое Ge свойственны два режима резистивного переключения: биполярный и энергозависимый униполярный. В обоих режимах структуры обладают стабильными токовыми состояниями с отношением силы тока в низкоомном и высокоомном состояниях от 1.5 до 2.7. Энергозависимый униполярный тип переключений может быть обусловлен захватом носителей заряда на глубокие уровни, связанные с дислокациями несоответствия на границе Ge/Si, в то время как биполярное переключение связано с дрейфом ионов Ag$^{+}$ по прорастающим дислокациям.
Ключевые слова:
пленки Ge, мемристор, резистивное переключение, дислокации, полупроводник.
Поступила в редакцию: 14.10.2019 Исправленный вариант: 14.10.2019 Принята в печать: 24.10.2019
Образец цитирования:
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5215 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p44
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 59 | PDF полного текста: | 25 |
|