Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 44–46
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075 (Mi pjtf5215) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si

О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (132 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075
Аннотация: Показано, что структурам Ag/Ge/Si с прорастающими дислокациями в слое Ge свойственны два режима резистивного переключения: биполярный и энергозависимый униполярный. В обоих режимах структуры обладают стабильными токовыми состояниями с отношением силы тока в низкоомном и высокоомном состояниях от 1.5 до 2.7. Энергозависимый униполярный тип переключений может быть обусловлен захватом носителей заряда на глубокие уровни, связанные с дислокациями несоответствия на границе Ge/Si, в то время как биполярное переключение связано с дрейфом ионов Ag$^{+}$ по прорастающим дислокациям.
Ключевые слова: пленки Ge, мемристор, резистивное переключение, дислокации, полупроводник.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-29-03026
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант 19-29-03026).
Поступила в редакцию: 14.10.2019
Исправленный вариант: 14.10.2019
Принята в печать: 24.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 1, Pages 91–93
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502001023X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorSheDen20}
\by О.~Н.~Горшков, В.~Г.~Шенгуров, С.~А.~Денисов, В.~Ю.~Чалков, И.~Н.~Антонов, А.~В.~Круглов, М.~Е.~Шенина, В.~Е.~Котомина, Д.~О.~Филатов, Д.~А.~Серов
\paper Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 44--46
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5215}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776867}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 91--93
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502001023X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5215
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p44
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024