Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1436–1442
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46753.32
(Mi phts5656)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si

С. В. Тиховa, О. Н. Горшковa, И. Н. Антоновa, Д. И. Тетельбаумa, А. Н. Михайловa, А. И. Беловa, А. И. Морозовa, P. Karakolisbc, P. Dimitrakisb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Institute of Nanoscience and Nanotechnology, NCSR "Demokritos", Greece
c Department of Physics, University of Patras, Patras, Greece
Аннотация: Изучено влияние материала металлических обкладок (Au, Ta, W) и освещения мощным синим лазером на характеристики мемристивных МДП конденсаторов с пленкой Si$_{3}$N$_{4}$ толщиной 6 нм, полученных на основе $n^{+}$-Si. Показано, что биполярное переключение током проявляется только в конденсаторах с Au. Объяснены причины отсутствия биполярного переключения в конденсаторах с Ta и W. Обнаружено переключение конденсаторов с Та током и освещением и обнаружен эффект фотопамяти. Показано, что, несмотря на высокую степень легирования подложки полупроводника, она уменьшает быстродействие МДП мемристоров из-за высокой плотности поверхностных состояний, локализованных на границе Si$_{3}$N$_{4}/n^{+}$-Si. Однако освещение позволяет значительно увеличивать быстродействие за счет уменьшения сопротивления полупроводника. Определены значения плотности поверхностных состояний. Для улучшения частотных характеристик МДП мемристоров необходимо получать низкую плотность поверхностных состояний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI58717X0042
Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки РФ (уникальный идентификатор проекта RFMEFI58717X0042).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1540–1546
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120242
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1436–1442; Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorAnt18}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, И.~Н.~Антонов, Д.~И.~Тетельбаум, А.~Н.~Михайлов, А.~И.~Белов, А.~И.~Морозов, P.~Karakolis, P.~Dimitrakis
\paper Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1436--1442
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5656}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46753.32}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903629}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1540--1546
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120242}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5656
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1436
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024