|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
С. В. Тиховa, О. Н. Горшковa, И. Н. Антоновa, Д. И. Тетельбаумa, А. Н. Михайловa, А. И. Беловa, А. И. Морозовa, P. Karakolisbc, P. Dimitrakisb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Institute of Nanoscience and Nanotechnology, NCSR "Demokritos", Greece
c Department of Physics, University of Patras, Patras, Greece
Аннотация:
Изучено влияние материала металлических обкладок (Au, Ta, W) и освещения мощным синим лазером на характеристики мемристивных МДП конденсаторов с пленкой Si$_{3}$N$_{4}$ толщиной 6 нм, полученных на основе $n^{+}$-Si. Показано, что биполярное переключение током проявляется только в конденсаторах с Au. Объяснены причины отсутствия биполярного переключения в конденсаторах с Ta и W. Обнаружено переключение конденсаторов с Та током и освещением и обнаружен эффект фотопамяти. Показано, что, несмотря на высокую степень легирования подложки полупроводника, она уменьшает быстродействие МДП мемристоров из-за высокой плотности поверхностных состояний, локализованных на границе Si$_{3}$N$_{4}/n^{+}$-Si. Однако освещение позволяет значительно увеличивать быстродействие за счет уменьшения сопротивления полупроводника. Определены значения плотности поверхностных состояний. Для улучшения частотных характеристик МДП мемристоров необходимо получать низкую плотность поверхностных состояний.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1436–1442; Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5656 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1436
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 14 |
|