Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 10, страницы 17–24 (Mi pjtf6411)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки

А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Для мемристивных структур Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, проанализировано влияние толщины и стехиометрии пленки SiO$_{x}$, а также площади верхнего золотого электрода на параметры резистивного переключения. Полученные результаты свидетельствуют в пользу филаментной модели резистивного переключения в пленках SiO$_{x}$.
Поступила в редакцию: 26.12.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 5, Pages 505–508
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум, “Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 17–24; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 505–508
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelMikKor16}
\by А.~И.~Белов, А.~Н.~Михайлов, Д.~С.~Королев, В.~А.~Сергеев, И.~Н.~Антонов, О.~Н.~Горшков, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 17--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6411}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368202 }
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 5
\pages 505--508
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016050199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6411
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i10/p17
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024