|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика низкоразмерных структур
Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Изучены электрофизические характеристики многослойной мемристивной структуры Au/Ta/ZrO$_{2}$(Y)/TaO$_{x}$/TiN. Обнаружены электронные и ионные электретные эффекты, связанные с захватом носителей заряда на ловушки и ионной миграционной поляризацией в диэлектрике. Установлено влияние ловушек на процессы электроформовки и резистивного переключения. Определены значения энергии активации и концентрации для ловушек и ионов. Обнаружено явление стабилизации резистивного переключения, которое связывается с особенностями двуслойной структуры TaO$_{x}$ и самоформирующимися нанокластерами Ta. Нанокластеры выполняют роль концентраторов электрического поля в процессе электроформовки и последующего резистивного переключения.
Ключевые слова:
мемристор, резистивное переключение, ловушки, ионы, миграционная поляризация, нанокластеры.
Поступила в редакцию: 21.05.2019 Исправленный вариант: 21.05.2019 Принята в печать: 10.06.2019
Образец цитирования:
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304; Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5391 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i2/p298
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 20 |
|