|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 3, страницы 52–60
(Mi pjtf6518)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
В структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе арсенида галлия и кремния с тонкой пленкой (толщиной 40 nm) диоксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия, обнаружены особенности явления неравновесного обеднения, которые проявляются в скачкообразных изменениях тока при изменении напряжения и могут привести к расширению областей применения этого явления в микроэлектронной технике.
Поступила в редакцию: 31.03.2015
Образец цитирования:
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60; Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6518 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i3/p52
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 15 |
|