Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 3, страницы 52–60 (Mi pjtf6518)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник

С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: В структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе арсенида галлия и кремния с тонкой пленкой (толщиной 40 nm) диоксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия, обнаружены особенности явления неравновесного обеднения, которые проявляются в скачкообразных изменениях тока при изменении напряжения и могут привести к расширению областей применения этого явления в микроэлектронной технике.
Поступила в редакцию: 31.03.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 2, Pages 138–142
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016020139
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60; Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorKor16}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, М.~Н.~Коряжкина, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин
\paper Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл--диэлектрик--полупроводник
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 3
\pages 52--60
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6518}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669704}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 2
\pages 138--142
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016020139}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6518
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i3/p52
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024