Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1615–1619 (Mi phts6280)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs

С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (498 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Изучены свойства МДП-структур на основе $n$-GaAs, в которых в качестве диэлектрика использованы оксид кремния и стабилизированные оксидом иттрия диоксид циркония и диоксид гафния, и которые содержали квантовые точки InAs, встроенные на границе раздела диэлектрик/$n$-GaAs. Структуры проявляли резистивное переключение и синаптическое поведение
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1589–1594
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120228
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619; Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorKor16}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, М.~Н.~Коряжкина, А.~П.~Касаткин, И.~Н.~Антонов, О.~В.~Вихрова, А.~И.~Морозов
\paper Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1615--1619
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6280}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369060}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1589--1594
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120228}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6280
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1615
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025