|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1615–1619
(Mi phts6280)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Изучены свойства МДП-структур на основе $n$-GaAs, в которых в качестве диэлектрика использованы оксид кремния и стабилизированные оксидом иттрия диоксид циркония и диоксид гафния, и которые содержали квантовые точки InAs, встроенные на границе раздела диэлектрик/$n$-GaAs. Структуры проявляли резистивное переключение и синаптическое поведение
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619; Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6280 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1615
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 10 |
|