Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник

Показано, что формирование наночастиц Au на границе раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствительности конденсаторной фотоэдс при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссией электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Au.