Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 6, страницы 927–934
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.06.47642.354-18 (Mi jtf5598) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния

С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (413 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.06.47642.354-18
Аннотация: Исследованы особенности резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния. Установлены закономерности токопереноса в исходном состоянии, после электроформовки и резистивного переключения конденсаторов при разных температурах. Определены параметры малосигнальной эквивалентной схемы конденсатора в зависимости от переключения в низкоомное или высокоомное состояние, которые свидетельствуют об изменении сопротивления филаментов при каждом новом переключении. Это позволяет использовать такие измерения с целью выяснения природы резистивных переключений и эффективного контроля воспроизводимости их параметров. Установлена роль ловушек для электронов при переключении. Обнаружена ионная миграционная поляризация при температурах выше 500 K, определены энергия активации миграции ионов и концентрация ионов. Впервые обнаружено и объяснено явление резистивного переключения под действием температуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 074-02-2018-330(2)
Работа поддержана Грантом Правительства Российской Федерации для государственной поддержки научных исследований, проводимых под руководством ведущих ученых (Договор № 074-02-2018-330(2)).
Поступила в редакцию: 04.10.2018
Исправленный вариант: 04.10.2018
Принята в печать: 01.11.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 6, Pages 873–880
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219060227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов, “Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния”, ЖТФ, 89:6 (2019), 927–934; Tech. Phys., 64:6 (2019), 873–880
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorBel19}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, А.~И.~Белов, И.~Н.~Антонов, А.~И.~Морозов, М.~Н.~Коряжкина, А.~Н.~Михайлов
\paper Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 6
\pages 927--934
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5598}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.06.47642.354-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133842}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 6
\pages 873--880
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219060227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5598
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i6/p927
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024