Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 10, страницы 78–84 (Mi pjtf6419)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния

С. В. Тиховa, О. Н. Горшковab, М. Н. Коряжкинаa, И. Н. Антоновab, А. П. Касаткинa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (478 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Стимулированное светом резистивное переключение изучено в МДП-структурах на основе Si, покрытого туннельно-тонким слоем SiO$_{2}$, на который осаждался нанометровый слой Sb. В качестве диэлектрика в этих структурах использован диоксид циркония, стабилизированный оксидом иттрия.
Поступила в редакцию: 03.09.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 5, Pages 536–538
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050308
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 78–84; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 536–538
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorKor16}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, М.~Н.~Коряжкина, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин
\paper Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 78--84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6419}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368210}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 5
\pages 536--538
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016050308}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6419
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i10/p78
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024