Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Aleshkin, Vladimir Yakovlevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 72
Scientific articles: 72

Number of views:
This page:467
Abstract pages:8484
Full texts:3317
References:876
Associate professor
Doctor of physico-mathematical sciences
E-mail: ;

https://www.mathnet.ru/eng/person55497
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://orcid.org/0000-0002-4244-4748

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Magnetoresistance of a HgTe/CdHgTe double quantum well in an in-plane magnetic field”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 118:12 (2023),  896–901  mathnet; JETP Letters, 118:12 (2023), 899–904
2. L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, F. Teppe, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Simultaneous observation of the cyclotron resonances of electrons and holes in a HgTe/CdHgTe double quantum well under “optical gate” effect”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 118:11 (2023),  860–868  mathnet; JETP Letters, 118:11 (2023), 867–874
3. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. Ya. Aleshkin, “Energy spectrum of the valence band in HgTe quantum wells on the way from a two- to three-dimensional topological insulator”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 117:12 (2023),  912–918  mathnet; JETP Letters, 117:12 (2023), 916–922
2022
4. M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, S. M. Podgornykh, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Features of magnetotransport in a $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ double quantum well with an intermediate degree of band inversion”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:6 (2022),  378–386  mathnet; JETP Letters, 116:6 (2022), 385–393 1
2021
5. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Influence of quantum well parameters on the spectrum of two-dimensional plasmons in HgTe/CdHgTe heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  973–977  mathnet  elib
6. A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, “Model of a terahertz quantum-cascade laser based on a two-dimensional plasmon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  869–871  mathnet  elib; Semiconductors, 55:11 (2021), 828–830 1
7. S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:3 (2021),  51–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 1
8. A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Kvantovaya Elektronika, 51:2 (2021),  158–163  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163  isi  scopus] 2
2020
9. L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, M. S. Zholudev, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. Potemski, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Effects of the electron–electron interaction in the magneto-absorption spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells with an inverted band structure”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 112:8 (2020),  541–546  mathnet  elib; JETP Letters, 112:8 (2020), 508–512  isi  scopus 1
10. V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1169–1173  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 2
11. L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1163–1168  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
12. V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  929–932  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 2
13. K. V. Marem'yanin, V. Parshin, E. A. Serov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, A. P. Fokin, S. S. Morozov, V. Ya. Aleshkin, M. Yu. Glyavin, G. G. Denisov, S. V. Morozov, “Investigation into microwave absorption in semiconductors for frequency-multiplication devices and radiation-output control of continuous and pulsed gyrotrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  878–883  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074 4
2019
14. L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, M. Orlita, M. Potemski, B. A. Piot, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, “Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 109:3 (2019),  184–190  mathnet  elib; JETP Letters, 109:3 (2019), 191–197  isi  scopus 2
15. V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1178–1181  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 4
16. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1159–1163  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 6
17. A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Generation of THz radiation at a difference frequency in a HgCdTe-based laser”, Kvantovaya Elektronika, 49:7 (2019),  689–692  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:7 (2019), 689–692  isi  scopus] 1
18. M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus] 2
2018
19. L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, V. I. Gavrilenko, “Polarization-sensitive Fourier-transform Spectroscopy of HgTe/CdHgTe quantum wells in the far infrared range in a magnetic field”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 108:5 (2018),  352–358  mathnet  elib; JETP Letters, 108:5 (2018), 329–334  isi  scopus 5
20. I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1460–1463  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 1
21. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
22. K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
23. L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1274–1279  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 5
24. V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1263–1267  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 7
25. A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, “Lowering the lasing threshold by doping in mid-infrared lasers based on HgCdTe with HgTe quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1100–1103  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1221–1224 3
26. V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  464  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441
27. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
28. A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Kvantovaya Elektronika, 48:4 (2018),  390–394  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  isi  scopus] 1
2017
29. L. S. Bovkun, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, S. S. Krishtopenko, A. V. Antonov, K. E. Spirin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1621–1629  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570
30. A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1588–1593  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 10
31. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
32. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
33. V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “On the cascade capture of electrons at charged dipoles in weakly compensated semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1498–1502  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1444–1448 2
34. N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:10 (2017),  1410–1413  mathnet  elib; Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 1
35. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 5
2016
36. V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1720–1724  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695
37. L. S. Bovkun, S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1554–1560  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538 9
38. N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1509–1512  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492
39. A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
40. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
41. A. A. Lastovkin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Variation of the emission frequency of a terahertz quantum cascade laser”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:5 (2016),  15–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 230–233
2015
42. N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Kvantovaya Elektronika, 45:3 (2015),  204–206  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206  isi  scopus] 1
2014
43. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:12 (2014),  900–903  mathnet  elib; JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797  isi  elib  scopus 4
44. V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “Near-field effect in the absorption spectrum of impurities in crystals”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 99:12 (2014),  824–826  mathnet  elib; JETP Letters, 99:12 (2014), 712–714  isi  elib  scopus
45. N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Kvantovaya Elektronika, 44:4 (2014),  286–288  mathnet  elib [Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  isi  scopus] 1
2013
46. D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin, “Efficiency of GaInAs/GaAs quantum-well lasers upon inhomogeneous excitation of quantum wells”, Kvantovaya Elektronika, 43:11 (2013),  999–1002  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:11 (2013), 999–1002  isi  scopus] 6
47. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus] 6
2012
48. S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Kvantovaya Elektronika, 42:10 (2012),  931–933  mathnet  elib [Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  isi  scopus] 9
2011
49. V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 94:11 (2011),  890–894  mathnet  elib; JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815  isi  elib  scopus 2
50. V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 93:7 (2011),  437–441  mathnet; JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398  isi  scopus
2010
51. A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 92:11 (2010),  837–841  mathnet  elib; JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761  isi  elib  scopus 28
52. V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Kvantovaya Elektronika, 40:10 (2010),  855–857  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857  isi  scopus] 6
2009
53. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, “Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 89:2 (2009),  70–74  mathnet; JETP Letters, 89:2 (2009), 63–67  isi  scopus 48
54. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Intracavity terahertz difference-frequency generation in an InGaAs-quantum-well two-frequency InGaAsP/InP laser”, Kvantovaya Elektronika, 39:8 (2009),  727–730  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:8 (2009), 727–730  isi  scopus] 4
2008
55. V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 88:12 (2008),  905–907  mathnet; JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus 10
56. V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, D. V. Kozlov, “Impurity photoconductivity in strained <i>p</i> -InGaAs/GaAsP heterostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 88:3 (2008),  229–233  mathnet; JETP Letters, 88:3 (2008), 197–200  isi  scopus 1
57. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide on a germanium substrate”, Kvantovaya Elektronika, 38:9 (2008),  855–858  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:9 (2008), 855–858  isi  scopus] 1
58. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Generation of difference-frequency radiation in mid- and far-IR ranges by using subpicosecond and picosecond semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 38:2 (2008),  149–153  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:2 (2008), 149–153  isi  scopus] 3
1992
59. I. A. Karpovich, V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, N. V. Baidus, L. M. Batukova, B. N. Zvonkov, S. M. Plankina, “Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1886–1893  mathnet
60. V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, L. M. Batukova, E. V. Demidov, E. R. Demidova, B. N. Zvonkov, I. A. Karpovich, I. G. Malkina, “Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1848–1849  mathnet
61. V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, T. S. Babushkina, L. M. Batukova, E. V. Demidov, B. N. Zvonkov, T. S. Kuntsevich, I. G. Malkina, T. N. Yan'kova, “Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  516–521  mathnet
62. V. Ya. Aleshkin, A. A. Kostin, Yu. A. Romanov, “Температурная зависимость энергии связи экситонов Ваннье$-$Мотта в квантовых ямах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:2 (1992),  318–323  mathnet
1991
63. V. Ya. Aleshkin, E. V. Demidov, B. N. Zvonkov, A. V. Murel, Yu. A. Romanov, “Исследование квантовых ям $C{-}V$-методом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  1047–1052  mathnet
1990
64. I. A. Karpovich, V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, T. S. Babushkina, B. N. Zvonkov, I. G. Malkina, “Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2172–2176  mathnet
65. V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, T. S. Babushkina, L. M. Batukova, E. V. Demidov, B. N. Zvonkov, I. G. Malkina, “Фотолюминесценция квантовых слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990),  892–896  mathnet
66. V. Ya. Aleshkin, Yu. A. Romanov, “Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  131–135  mathnet
1988
67. V. Ya. Aleshkin, E. P. Dodin, V. A. Kozlov, I. M. Nefedov, Yu. A. Romanov, “Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  1910–1914  mathnet
1986
68. V. Ya. Aleshkin, V. A. Kozlov, Yu. A. Romanov, “Effect of Scattering Anisotropy on Hole Distribution in Ge and Si under Streaming”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1733–1736  mathnet
69. V. Ya. Aleshkin, A. M. Belayncev, Yu. A. Romanov, “Inversion of Band Populations in Thin Semiconductor Layers Produced by an Alternating Electric Field”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1582–1587  mathnet
70. V. Ya. Aleshkin, Yu. A. Romanov, “Dynamics of Holes in Semiconductors of Diamond Structure in a Constant Electric Field”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  281–286  mathnet
1984
71. V. Ya. Aleshkin, Yu. A. Romanov, “Туннельная проводимость тонких полупроводниковых пленок”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2182–2186  mathnet
72. V. Ya. Aleshkin, Yu. A. Romanov, “Nonlinear Electric Conductivity of Monopolar Semiconductor Films with Anisotropis Mobility”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  197–199  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024