Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Васильев Алексей Петрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 35
Научных статей: 35

Статистика просмотров:
Эта страница:202
Страницы публикаций:2839
Полные тексты:1026
Списки литературы:147
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person85048
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. В. Рахлин, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, С. И. Трошков, В. М. Устинов, А. А. Торопов, “Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598  mathnet; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, A. A. Toropov, “Simulation and analysis of the optical characteristics of cylindrical micropillars with InAs/GaAs quantum dots”, JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618 3
2021
2. В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894  mathnet  elib
3. М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, А. С. Пазгалев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. М. Устинов, “Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
4. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7  mathnet  elib
5. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
6. Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38  mathnet  elib
7. С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Е. С. Колодезный, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, В. М. Устинов, “Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, E. S. Kolodeznyi, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, V. M. Ustinov, “The design of an electrically-driven single photon source of the 1.3-$\mu$m spectral range based on a vertical microcavity with intracavity contacts”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 222–226 1
2020
8. С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096  mathnet  elib; S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “1.55 $\mu$m-range vertical cavity surface emitting lasers, manufactured by wafer fusion of heterostuctures grown by solid-source molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1276–1283 7
9. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “The effect of a saturable absorber in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by wafer fusion technology”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1257–1262 11
10. С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “A vertical-cavity surface-emitting laser for the 1.55-$\mu$m spectral range with tunnel junction based on $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 854–858 11
2019
11. В. В. Дюделев, В. В. Мамутин, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, В. М. Устинов, Г. С. Соколовский, “Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре”, Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448  mathnet  elib; V. V. Dyudelev, V. V. Mamutin, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, V. I. Kuchinskii, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, G. S. Sokolovskii, “The effect of active region heating on dynamic and power characteristics of quantum cascade lasers emitting at a wavelength of 4.8 $\mu$m at room temperature”, Optics and Spectroscopy, 127:3 (2019), 479–482
12. Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, А. П. Васильев, “Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1218–1223  mathnet  elib; E. S. Obolenskaya, A. S. Ivanov, D. G. Pavel'ev, V. A. Kozlov, A. P. Vasil'ev, “Comparison of the features of electron transport and subterahertz generation in diodes based on 6-, 18-, 70-, and 120-period GaAs/AlAs superlattices”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1192–1197 2
13. Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33  mathnet  elib; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 3
14. Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Блохин, В. М. Устинов, “Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54  mathnet  elib; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Blokhin, V. M. Ustinov, “Heterobarrier varactors with nonuniformly doped modulation layers”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1063–1066
15. С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190  mathnet  elib [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190  isi  scopus] 8
2018
16. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1337–1345  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, “Radiation resistance of terahertz diodes based on GaAs/AlAs superlattices”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1448–1456 1
17. М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196  mathnet  elib; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 2
18. В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815  mathnet  elib; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 6
19. V. V. Chaldyshev, E. V. Kundelev, A. N. Poddubny, A. P. Vasil'ev, M. A. Yagovkina, Y. Chen, N. Maharjan, Z. Liu, M. L. Nakarmi, N. M. Shakya, “Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  466  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 447–451
20. В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137  mathnet  elib; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 1
21. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
22. Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, С. Н. Малеев, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, В. М. Устинов, “Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23  mathnet  elib; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, S. N. Maleev, S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, V. M. Ustinov, “Epitaxial InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors with low leakage current”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 862–864 3
23. В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. М. Устинов, “Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23  mathnet  elib; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 2
24. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 3
2017
25. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697  mathnet; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
26. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1493–1497  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Optimization of the superlattice parameters for THz diodes”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1439–1443 3
27. Н. А. Малеев, В. А. Беляков, А. П. Васильев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, А. Г. Кузьменков, В. Н. Неведомский, Ю. А. Гусева, С. Н. Малеев, И. В. Ладенков, Е. Л. Фефелова, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488  mathnet  elib; N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil'ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuz'menkov, V. N. Nevedomskiy, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434 4
2016
28. И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131  mathnet  elib; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124  isi  scopus 19
29. Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1548–1553  mathnet  elib; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, Yu. I. Koschurinov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531 3
30. М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413  mathnet  elib; M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 5
31. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 5
32. С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79  mathnet  elib; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 3
2010
33. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582  isi  scopus]
1981
34. А. П. Васильев, И. М. Кирко, “О задаче оптимизации морского МГД-движителя”, Прикл. мех. техн. физ., 22:3 (1981),  86–94  mathnet; A. P. Vasil'ev, I. M. Kirko, “Optimization of a marine MHD propeller”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 22:3 (1981), 364–371
1980
35. А. П. Васильев, “К вопросу аналогии пузырькового кипения с процессом электролиза морской воды в канале МГД-движителя”, ТВТ, 18:5 (1980),  1116  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024