Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 812–815
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46057.8787 (Mi phts5795) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров

В. В. Мамутинa, А. П. Васильевa, А. В. Лютецкийa, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. М. Задирановa, А. Н. Софроновb, Д. А. Фирсовb, Л. Е. Воробьевb, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (151 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46057.8787
Аннотация: Описано получение и исследование лазерных характеристик изорешеточной структуры квантового каскадного лазера на подложке фосфида индия, рассчитанного на длину волны $\sim$4.8 мкм, что соответствует одному из окон прозрачности атмосферы. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и состояла из тридцати каскадов. Экспериментально получена лазерная генерация при температурах до 200 K на длине волны, совпадающей с расчетной, что подтверждает высокое качество интерфейсов и высокую точность исполнения толщин и легирования активной области.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.933.2017/4.6
3.6153.2017/7.8
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства образования и науки России (государственное задание № 3.933.2017/4.6 и № 3.6153.2017/7.8.
Поступила в редакцию: 06.12.2017
Принята в печать: 12.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 950–953
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261807014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 812–815; Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamVasLyu18}
\by В.~В.~Мамутин, А.~П.~Васильев, А.~В.~Лютецкий, Н.~Д.~Ильинская, Ю.~М.~Задиранов, А.~Н.~Софронов, Д.~А.~Фирсов, Л.~Е.~Воробьев, Н.~А.~Малеев, В.~М.~Устинов
\paper Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 812--815
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5795}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46057.8787}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269417}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 950--953
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261807014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5795
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p812
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025