Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 19, страницы 16–23
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.19.46678.17413 (Mi pjtf5675) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки

Н. А. Малеевab, М. А. Бобровa, А. Г. Кузьменковac, А. П. Васильевca, М. М. Кулагинаa, С. Н. Малеевa, С. А. Блохинa, В. Н. Неведомскийa, В. М. Устиновabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (406 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.19.46678.17413
Аннотация: Качество гетерограниц и оптимальные условия эпитаксиального выращивания являются критически важными параметрами для получения низких токов утечки гетеробарьерных варакторов (ГБВ) в системе материалов InGaAs/InAlAs/AlAs. Выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии трехбарьерные структуры ГБВ с примыкающими к барьерному слою InAlAs/AlAs/InAlAs дополнительными рассогласованными слоями InGaAs, испытывающими напряжение сжатия, при оптимальных режимах эпитаксии демонстрируют рекордно низкие уровни плотности тока утечки (не более 0.06 A/cm$^{2}$ при напряжении 5 V и температуре 85$^\circ$C) при относительно тонких AlAs-вставках (толщиной 2 nm).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 9
Исследования выполнены при поддержке Программы Президиума РАН № 9 “Терагерцевая оптоэлектроника и спинтроника”.
Поступила в редакцию: 30.05.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 10, Pages 862–864
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018100103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, С. Н. Малеев, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, В. М. Устинов, “Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 16–23; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 862–864
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalBobKuz18}
\by Н.~А.~Малеев, М.~А.~Бобров, А.~Г.~Кузьменков, А.~П.~Васильев, М.~М.~Кулагина, С.~Н.~Малеев, С.~А.~Блохин, В.~Н.~Неведомский, В.~М.~Устинов
\paper Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 19
\pages 16--23
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5675}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.19.46678.17413}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36905881}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 10
\pages 862--864
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018100103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5675
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i19/p16
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024