Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 133–137
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45332.8630 (Mi phts5954) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (841 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45332.8630
Аннотация: Исследован процесс получения модифицированной структуры для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя выращивание с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии, плазменное травление, фотолитографию с применением жидкостного травления и создание специальных контактов для уменьшения потерь в волноводе. Использование специального типа структуры позволяет и без постростового заращивания высокоомным материалом достичь параметров, удовлетворяющих требованиям к гетероструктурам высококачественных квантовых каскадных лазеров при максимальном упрощении всего процесса изготовления.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 03.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 126–130
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261801013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137; Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamMalVas18}
\by В.~В.~Мамутин, Н.~А.~Малеев, А.~П.~Васильев, Н.~Д.~Ильинская, Ю.~М.~Задиранов, А.~А.~Усикова, М.~А.~Яговкина, Ю.~М.~Шерняков, В.~М.~Устинов
\paper Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 133--137
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5954}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45332.8630}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982802}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 126--130
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261801013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5954
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p133
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024