Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1218–1223
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48127.10 (Mi phts5405) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs

Е. С. Оболенскаяa, А. С. Ивановa, Д. Г. Павельевa, В. А. Козловab, А. П. Васильевcd

a Национальный исследовательский университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (366 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48127.10
Аннотация: Проведено сравнение особенностей транспорта электронов в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных подобных сверхрешеток GaAs/AlAs, при этом количество периодов и площадь диодов были различными. Сопоставлены значения паразитных сопротивлений приконтактных областей диодов, и определена величина удельного падения напряжения на одном периоде сверхрешетки для всех особых точек на вольт-амперных характеристиках диодов. Исследован механизм возникновения стабильных колебаний тока в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs с высоким уровнем легирования.
Ключевые слова: сверхрешетки, транспорт электронов, диоды, ТГЦ генерация.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1192–1197
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090124
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, А. П. Васильев, “Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1218–1223; Semiconductors, 53:9 (2019), 1192–1197
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OboIvaPav19}
\by Е.~С.~Оболенская, А.~С.~Иванов, Д.~Г.~Павельев, В.~А.~Козлов, А.~П.~Васильев
\paper Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1218--1223
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5405}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48127.10}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129866}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1192--1197
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090124}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5405
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1218
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024