Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 21, страницы 29–33
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48470.17961 (Mi pjtf5278) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками

Н. А. Малеевab, А. П. Васильевc, А. Г. Кузьменковc, М. А. Бобровa, М. М. Кулагинаa, С. И. Трошковa, С. Н. Малеевa, В. А. Беляковd, Е. В. Петряковаd, Ю. П. Кудряшоваd, Е. Л. Фефеловаd, И. В. Макарцевd, С. А. Блохинa, Ф. А. Ахмедовe, А. В. Егоровe, А. Г. Фефеловd, В. М. Устиновabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
e НПО "Техномаш", Москва, Россия
PDF полного текста (210 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48470.17961
Аннотация: Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной $T$-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 $\mu$m, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8–10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона.
Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 5
Н.А. Малеев, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.А. Блохин, В.М. Устинов выражают благодарность за поддержку в рамках Программы Президиума РАН № 5 “Фотонные технологии в зондировании неоднородных сред и биообъектов” при выполнении работы.
Поступила в редакцию: 03.07.2019
Исправленный вариант: 03.07.2019
Принята в печать: 11.07.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 11, Pages 1092–1096
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019110075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalVasKuz19}
\by Н.~А.~Малеев, А.~П.~Васильев, А.~Г.~Кузьменков, М.~А.~Бобров, М.~М.~Кулагина, С.~И.~Трошков, С.~Н.~Малеев, В.~А.~Беляков, Е.~В.~Петрякова, Ю.~П.~Кудряшова, Е.~Л.~Фефелова, И.~В.~Макарцев, С.~А.~Блохин, Ф.~А.~Ахмедов, А.~В.~Егоров, А.~Г.~Фефелов, В.~М.~Устинов
\paper InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 21
\pages 29--33
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5278}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48470.17961}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848461}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 1092--1096
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019110075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5278
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i21/p29
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024