Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1408–1413 (Mi phts6347)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой

М. А. Бобровa, Н. А. Малеевa, С. А. Блохинa, А. Г. Кузьменковab, А. А. Блохинa, А. П. Васильевab, Ю. А. Гусеваa, М. М. Кулагинаa, Ю. М. Задирановa, С. И. Трошковa, В. Лисакac, В. М. Устиновab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (868 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Проведены исследования поляризационных характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами (далее ВК-ВИЛ) и ромбовидной формой оксидной токовой апертуры. Обнаружено, что поляризация излучения всегда фиксируется вдоль малой диагонали ромбовидной апертуры (вдоль кристаллографического направления [$\bar1$10]) для всех одномодовых ВК-ВИЛ. Численное моделирование транспорта носителей заряда не выявило существенной анизотропии инжекции носителей в активную область. Более того, анализ пространственного распределения фундаментальной моды для двух ортогональных поляризаций в рамках модели эффективного волновода показал близкие значения поперечного фактора оптического перекрытия. Анизотропия оптических потерь в асимметричном микрорезонаторе и/или анизотропия усиления напряженной активной области, по-видимому, ответственны за эффект фиксации поляризации.
Поступила в редакцию: 14.04.2016
Принята в печать: 20.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1390–1395
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100092
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1408–1413; Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobMalBlo16}
\by М.~А.~Бобров, Н.~А.~Малеев, С.~А.~Блохин, А.~Г.~Кузьменков, А.~А.~Блохин, А.~П.~Васильев, Ю.~А.~Гусева, М.~М.~Кулагина, Ю.~М.~Задиранов, С.~И.~Трошков, В.~Лисак, В.~М.~Устинов
\paper Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1408--1413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6347}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369021}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1390--1395
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6347
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1408
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025