Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 19, страницы 70–79 (Mi pjtf6294)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке

С. А. Блохинa, Н. В. Крыжановскаяb, Э. И. Моисеевb, М. А. Бобровa, А. Г. Кузьменковac, А. А. Блохинa, А. П. Васильевac, И. О. Карповскийad, Ю. М. Задирановa, С. И. Трошковa, В. Н. Неведомскийa, Е. В. Никитинаb, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновac

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Исследована принципиальная возможность достижения температурной стабильности лазерных излучателей спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с вертикальным оптическим микрорезонатором и активной областью на основе квантовых точек (KT) InAs/InGaAs. Показано, что в случае использования нелегированного гибридного вертикального оптического микрорезонатора с нижним нелегированным полупроводниковым и верхним диэлектрическим распределенными брэгговскими отражателями, для активной области на основе девяти слоев КТ при оптимальном спектральном рассогласовании положения максимума усиления основного состояния КТ и резонансной длины волны возможно обеспечить лазерную генерацию вплоть до температур $\sim$100$^\circ$C при практически неизменном уровне пороговой мощности накачки.
Поступила в редакцию: 20.05.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 10, Pages 1009–1012
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016100023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloKryMoi16}
\by С.~А.~Блохин, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, М.~А.~Бобров, А.~Г.~Кузьменков, А.~А.~Блохин, А.~П.~Васильев, И.~О.~Карповский, Ю.~М.~Задиранов, С.~И.~Трошков, В.~Н.~Неведомский, Е.~В.~Никитина, Н.~А.~Малеев, В.~М.~Устинов
\paper Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 19
\pages 70--79
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6294}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368337}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 1009--1012
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016100023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6294
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i19/p70
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024