Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1484–1488
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45095.09 (Mi phts5992) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов

Н. А. Малеевa, В. А. Беляковb, А. П. Васильевc, М. А. Бобровa, С. А. Блохинa, М. М. Кулагинаa, А. Г. Кузьменковc, В. Н. Неведомскийa, Ю. А. Гусеваa, С. Н. Малеевa, И. В. Ладенковb, Е. Л. Фефеловаb, А. Г. Фефеловb, В. М. Устиновdc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (556 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45095.09
Аннотация: Представлены результаты исследований по оптимизации технологии молекулярно-пучковой эпитаксии структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов. Выбор температуры держателя подложки, скорости роста и соотношения потоков элементов III и V групп при синтезе отдельных областей гетероструктуры, толщина AlAs-вставок и качество границ барьерных слоев являются критическими параметрами для получения оптимальных характеристик гетеробарьерных варакторов. Предложенная конструкция трехбарьерных структур гетеробарьерных варакторов с непосредственно примыкающими к гетеробарьеру InAlAs/AlAs/InAlAs тонкими напряженными слоями InGaAs, рассогласованными относительно постоянной решетки подложки InP, при толщине AlAs-вставок 2.5 нм обеспечивает плотность тока утечки на уровне лучших опубликованных значений для структур гетеробарьерных варакторов с 12 барьерами и толщиной вставок 3 нм.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1431–1434
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Малеев, В. А. Беляков, А. П. Васильев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, А. Г. Кузьменков, В. Н. Неведомский, Ю. А. Гусева, С. Н. Малеев, И. В. Ладенков, Е. Л. Фефелова, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1484–1488; Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalBelVas17}
\by Н.~А.~Малеев, В.~А.~Беляков, А.~П.~Васильев, М.~А.~Бобров, С.~А.~Блохин, М.~М.~Кулагина, А.~Г.~Кузьменков, В.~Н.~Неведомский, Ю.~А.~Гусева, С.~Н.~Малеев, И.~В.~Ладенков, Е.~Л.~Фефелова, А.~Г.~Фефелов, В.~М.~Устинов
\paper Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1484--1488
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5992}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45095.09}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546385}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1431--1434
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110185}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5992
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1484
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024