|
Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
И. В. Алтуховa, С. Е. Дижурa, М. С. Каганa, С. К. Папроцкийa, Н. А. Хвальковскийa, А. Д. Буравлевb, А. П. Васильевb, Ю. М. Задирановb, Н. Д. Ильинскаяb, А. А. Усиковаb, В. М. Устиновb a Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С. Петербург, Россия
Аннотация:
Исследовалась минизонная проводимость в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs с ТГц-резонатором. На вольт-амперных характеристиках при некотором пороговом напряжении наблюдалось скачкообразное уменьшение тока, вызванное образованием электрических доменов. Обнаружено, что при изменении параметров резонатора это пороговое напряжение существенно меняется. Предложено объяснение, связывающее сдвиг порога с возбуждением в резонаторе колебаний значительной амплитуды.
Поступила в редакцию: 11.11.2015 Исправленный вариант: 09.12.2015
Образец цитирования:
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131; JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4844 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i2/p128
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 231 | PDF полного текста: | 55 | Список литературы: | 55 | Первая страница: | 21 |
|